FeTAM (Ferolektrik Transistor Random Acces Memory)

Perkembangan komputer dan teknologi informasi sekarang ini sangat berhubungan dengan kemajuan dalam data teknologi penyimpanan. Random access memory, (RAM) adalah sebuah tipe penyimpanan komputer yang isinya dapat diakses dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan letak data tersebut dalam memori. Saat ini informasi yang sedang diproses disimpan dalam  Dynamic Random Access Memory (DRAM). RAM ini cukup cepat tetapi kerugiannya adalah sifatnya yang volatile. Sementara komputasi dengan kinerja tinggi saat ini membutuhkan  non-volatilitas memori. Para ilmuwaan mencoba untuk menemukan teknologi dan material yang baru untuk membuat RAM non-volatile yang cepat, padat,
rendah pada konsumsi daya dan ekonomis serta menguntungkan. Sejumlah opsi tentang non-volatile memory telah dipertimbangkan pengunaanya, seperti Ferroelektrik Random Access Memory (FeRAM) dan juga teknologi terbaru yakni Ferroelektrik Transistor Random Access Memory (FeTRAM). Perkembangan teknologi penyimpanan ini bertujuan untuk meningkatkan efisiensi daya listrik dan mengacu pada peningkatan kecepatan memory dalam mengakses setiap datanya.





 Tinjauan Pustaka
1.  FeRAM
FeRAM adalah memori non-volatile yang dapat menyimpan data bahkan setelah itu dimatikan. Meskipun  nama, FeRAM adalah memori feroelektrik tetapi memory ini  tidak terpengaruh oleh medan magnet karena tidak ada bahan besi (besi) dalam chip. Bahan feroelektrik beralih polaritas dalam medan listrik, tetapi tidak dipengaruhi oleh medan magnet. memory ini konstruksinya  mirip dengan DRAM yang saat ini digunakan di sebagian besar memori utama komputer, dimana DRAM konvensional terdiri dari grid kapasitor kecil dan kabel yang terkait dan sinyal transistors pada setiap elemen penyimpanan. Sel, terdiri dari satu kapasitor dan satu transistor, yang disebut perangkat "1T-1C".
Chip FeRAM berisi film tipis feroelektrik titanat zirkonat timbal [Pb (Zr, Ti) O3], sering disebut sebagai PZT. Pada Zr / Ti atom dapat mengubah polaritas  dalam medan listrik, sehingga menghasilkan sebuah saklar biner. Tidak seperti perangkat RAM, FeRAM mempertahankan memori data bila daya dimatikan atau terputus, karena polaritas kristal PZT mempertahankan. FeRAM memiliki daya tahan 10.000 kali lebih besar dan 3.000  kali lebih sedikit konsumsi daya dari perangkat EEPROM dan hampir memiliki kecepatan 500 kali lipat dalam kecepatan tulis.
F-RAM menggabungkan  dari RAM dan ROM ke dalam sebuah paket tunggal yang melebihi nonvolatile lain dengan sangat cepat menulis, daya tahan tinggi dan ultra-rendah konsumsi daya.
FRAM adalah teknologi memori yang sangat kuat dan dapat diandalkan, bahkan pada suhu tinggi. FRAM mempertahankan data selama lebih dari 10 tahun pada suhu  85 derajat Celcius. Ini jauh melebihi persyaratan untuk kredensial di pasar pemerintah dan ID merupakan retensi data kuat FRAM. FRAM digunakan dalam aplikasi otomotif beberapa telah memenuhi syarat untuk menahan kondisi benturan yang sangat keras.



2. DRAM
Random akses memori dinamis (DRAM) merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Karena kapasitornya selalu bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, hal ini yang membuatnya sangat dinamis dibandingkan dengan memori (SRAM) statik memori dan lain-lain.
Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural: hanya satu transistor dan kapasitor yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan empat di Transistor SRAM. Hal ini memungkinkan DRAM untuk mencapai kepadatan sangat tinggi. Tidak seperti flash memori, memori DRAM itu mudah "menguap" karena kehilangan datanya bila kehilangan aliran listrik.
3. EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, ditulis pula dengan E2PROM) adalah sejenis chip memori tidak-terhapus yang digunakan dalam komputer dan  peralatan elektronik lain untuk menyimpan sejumlah konfigurasi data pada alat elektronik tersebut yang tetap harus terjaga meskipun sumber daya diputuskan, seperti tabel kalibrasi atau kofigurasi perangkat.
Pengembangan EEPROM lebih lanjut menghasilkan bentuk yang lebih spesifik, flash memory. Flash memory lebih ekonomis daripada perangkat EEPROM tradisional, sehingga banyak dipakai dalam perangkat keras yang mampu menyimpan data statik yang lebih banyak (seperti USB flash drive).
Kelebihan utama dari EEPROM dibandingkan EPROM adalah  ia dapat dihapus secara elektris menggunakan cahaya ultraviolet sehingga prosesnya lebih cepat. Jika RAM tidak memiliki batasan dalam hal baca-tulis memori, maka EEPROM sebaliknya. Beberapa jenis EEPROM keluaran pertama hanya dapat dihapus dan ditulis ulang (erase-rewrite) sebanyak 100 kali sedangkan model terbaru bisa sampai 100.000 kali.